紫荆杂志（记者 孙艺宁）7月30日香港报道：为共同推动香港微电子产业发展，香港科技园公司（简称“科技园公司”）与麻省光子技术（香港）有限公司（简称“麻省光子技术”）今日（7月30日）举行香港首条超高真空“第三代半导体氮化镓（GaN）外延片中试线启动礼”。

麻省光子技术计划在港投资至少2亿港元，于香港科学园设立全港首个第三代半导体氮化镓（GaN）外延工艺全球研发中心，开发8寸先进GaN外延片工艺及设备平台，用于制作氮化镓光电子和功率器件。

麻省光子技术亦将在创新园设立全港首条超高真空量产型GaN外延片中试线，进行小批量生产；预计完成中试并启动香港的GaN外延量产产线建设，带动创造超过250个微电子相关的就业职位，包括外延片及设备设计、生产流程发展等，创造实质经济价值。

当日现场，由创新科技及工业局局长孙东、创新科技及工业局副局长张曼莉、引进重点企业办公室副总裁（先进制造与新能源科技）王国藩、香港科技园公司行政总裁黄克强、麻省光子技术（香港）有限公司行政总裁廖翊韬及麻省光子技术（香港）有限公司股东及投资人黄永耀等见证下签署合作协议。

创新科技及工业局局长孙东指出，第三代半导体就是香港近年来重点发展的科技领域。在特区政府公布的《香港创新科技发展蓝图》，其中一个发展方向为完善创科生态圈，推进香港“新型工业化”。这次麻省光子技术落户香港确切回应了发展战略，特区政府亦会大力支援先进制造产业，包括半导体产业在港设立或扩展先进制造生产线。

麻省光子技术（香港）有限公司行政总裁廖翊韬提到，作为首家进驻香港的氮化镓（GaN）外延技术公司，我们致力在港推动高阶第三代半导体晶圆技术的研发和量产，并借助香港的国际化市场地位，积极参与全球半导体竞争。这不仅为提升香港的原创性科技研发水平和新质生产力注入了强大动力，也为香港半导体制造产业链提供了最关键的上游晶园量产技术支撑。